技術士試験専門予備校 全部門 完全対応宣言
JESは技術士試験専門予備校として、全部門(21部門)の合格ノウハウを教えることを宣言いたします。【代表取締役:坂林和重】

坂林和重の技術士試験コラム

今のお勧めコース

考え方が問われる

2024.10.18

【お知らせ】キャンペーンオープン

【0】10/12(土)よりキャンペーン

2025年度の受講生募集キャンペーンを10/12(土)より開始します。キャンペーンでは、2025年度合格を目指すトータルコースABC)スタンダードコースAB)、あるいは、短期集中コースを10月中に申し込まれた人に特別割引の適用をいたします。皆さんに、最短合格をしていただくためにいろいろ準備しています。もしよかったら、10/12(土)からのキャンペーン(←ここをクリック)に注目してください。では、最短合格を目指して一緒に頑張りましょう。

【1】オープン(2025年度受験準備セミナー受付開始)

2025年度の受付を10月12日(土)より開始します。2025年の学習では、テンプレート法・ひな型論文・機械的合格論文作成法をフル活用して、最短合格していただきます。

また、2025年度の合格を目指す人向けのキャンペーンを実施中です。キャンペーン(←ここをクリック)では、2025年度に1人でも多くの人に合格していただきたいため、JES初の割引キャンペーンを実施いたします。

 

【コラム本文】考え方が問われる

技術士セミナーでは、学習のはじめのうちは問題の解答例を教えていますが、学習が進むにしたがって解答例を教えないようにしています(解答例はあくまでも一つの例です。自分の答えが自分で見つけられるように指導しています)。

これは、目的があってそのようにしています。

技術士試験は考え方試験です。考え方は受験生の頭の中に構築します。講師の頭の中でありません

考え方は、自分で答えを見つける過程で自分の頭の中に構築できます。答えを教えてもらっては、構築できません。

ただし、どの様にして考え方を構築するか理解できないと、自分の頭の中に構築できません。

そこで「実力の付く前」である初めのうちは、受験生の皆さんへ解答例を教えています。

そして、「自分で答えが見つけられる実力が付いた」と判断したら、正しい答えになったかどうかだけ伝えるようにしています(希望者には、引続き答えを教えますが「実力が付きませんよ」と申し添えています)。

そして正しい答えになるまで、同じ問題を何度でも考えてもらいます。(知識試験は、解答を早く教えて、問題と答えを大量に覚えてもらう試験です)

この勉強方法が、「考え方試験」と「知識試験」の違いです。この違いを理解できる人は一発合格を果たせます。この違いを理解できない人は合格まで数年かかります。

2025年度受験対策

では、一発合格を目指して頑張りましょう。

平成24年度無料セミナー開始

きょうから2025年7月21日(月・祝)の第2次筆記試験まで276日です。

<第一次試験>今日の第一次試験 です(今日は、パワースイッチング素子に関する問題です)

2024年の試験日である2024年11月24日(日)第1次試験日まであと37です。2024年は、ぜひ合格しましょう。

さて、JESでは、第一次試験の過去問題も分析しています。繰り返し出題される問題を知りたい人は、動画ページ(←ここをクリック)から確認してください。

第一次試験の勉強用に基礎科目、適性科目、専門科目(機械部門、電気電子部門、建設部門、環境部門、上下水道部門)について第一次試験の動画をvimeoにUPしています。 2023年の合格を目指している人は、vimeoに登録して視聴してください。

もしご視聴されたい人は、下の科目名をクリックしてご覧になってください。

基礎科目(←ここをクリック)

適性科目(←ここをクリック)
機械部門(←ここをクリック)
電気電子部門(←ここをクリック)
建設部門(←ここをクリック)

環境部門(←ここをクリック)

上下水道部門(←ここをクリック)

 では、今日のコラムです。さて今日の第一次試験の問題 です。(今日は、パワースイッチング素子に関する問題です)

 

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皆さん、おはようございます!
電気電子 担当講師の永澤 一也です。
一日が始まる前に、復習クイズに取り組んでみましょう!!

【復習クイズ】
パワースイッチング素子に関する次の記述のうち,誤って
いるものはどれか。

(1)GTO(Gate Turn off Thyristor)は,ゲート信号で
主電流をオフすることができる。

(2)逆阻止三端子サイリスタは,ゲート信号で主電流を
オン・オフすることができる。

(3)パワートランジスタは,ベース電流によりコレクタ-
エミッタ間をオン・オフすることができる。

(4)IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)は,
ゲート信号で主電流の高速スイッチングが可能である。

(5)MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect 
Transistor)は,バイポーラトランジスタよりも
高速スイッチングが可能である。

【正答】(2)

【解説】本問はパワー半導体に関する出題です。
(1)○。ゲートへのプラス/マイナス信号により,ターンオン/
オフが可能なサイリスタです。

(2)×。ゲート信号で主電流をオンするタイミングをコント
ロールできるものの,一度ターンオンすると,
ゲート信号ではターンオフできません。

(3)○。一般のトランジスタ同様,ベース電流でコレクタ-
エミッタ間の電流をオン・オフすることが可能です。

(4)○。IGBTは絶縁ゲートバイポーラトランジスタであり,
MOSFETとバイポーラトランジスタを複合化したものです。
絶縁ゲートによる電圧制御型デバイスであるMOSFETの持つ
高速動作とバイポーラトランジスタの高耐圧・低オン
損失の特長を併せ持っています。

(5)○。MOSFETは,バイポーラトランジスタのようにベース
層に少数キャリアの蓄積がないため,高速スイッチングが
可能です。数MHzまでの高周波で適用できます。

【参考文献】-


いかがでしたか?
上記のクイズは、テーマ「11)電気応用-パワー半導体-」に
関する内容でした。

本科目について少しでも疑問点がある場合には、お気軽に
ご質問ください。
お一人お一人の知識レベルは違って当然ですので、何でも
お聞きいただければと思います。
本日も一日頑張っていきましょう!

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では、次の試験での合格を目指して頑張りましょう。このコラムは、拡散希望です。 1人でも多くの人に技術士になっていただきたく思います。このコラムが、読者の励みになればと思います。 転記転載転送をよろしくお願いします。